Reakcia na: tux #19905:
inak... IGBT nemusi byt vzdy vo f-menici vhodny nakolko so robia len s N kanalom horne tranzsitory potrebuju plavajuce budenie do gate (GDT alebo plavajuci zdroj)Preto sa v niektorych menicoch pouziva kombinacia P-MOSFET hore a N-MOSFET dole, ktora tento problem riesi.(Budenie horneho gatu je proti L+, dolneho proti L-, ziadne plavajuce zdroje, ziadne GDT ako problem z hladiska strmosti signalov):)
Majo